1.技术简介

本发明公开了一种低成本超细β-Ga₂O₃纳米线的制备方法。本发明采用传统的化学气相沉积法（CVD），以价格低廉的石英片为衬底，并创新性地优化了生长工艺。具体步骤为：以纯度至少为99%的金属镓作为源材料，将源材料和表面蒸镀厚度为5-20nm金催化剂层的石英片放在石英舟内，然后再将石英舟放入CVD设备生长室内的高温加热区，所述蒸镀有金催化剂层的石英片位于源材料正上方，金催化剂层面向源材料且与源材料间距为0.5-1cm；通入高纯度氩气做为载气，其流量为100-200ml/min；当加热温度达到800-900℃时通入氧气，氧气流量为10-30ml/min，生长20-30分钟；关闭氧气，保持氩气流量，降温至室温，取出样品。该方法成功在廉价石英衬底上制备出直径仅为10-20nm、长度达十几微米的超细β-Ga₂O₃纳米线。本方法不仅设备简单、操作容易，且大幅降低了生产成本。

2.应用范围

本发明制备的超细β-Ga₂O₃纳米线（直径10-20nm），因其超细结构带来的显著量子尺寸效应、高比表面积以及β-Ga₂O₃材料本身宽禁带（4.9eV）、高化学稳定性等，在多个领域具有广阔的应用前景。在光电器件方面，可制作高性能日盲紫外光电探测器，应用于火灾预警、电力安全监测等；在气体传感领域，超细纳米线大的比表面积能极大提升对检测气体的灵敏度和响应速度，用于环境监测等；还可作为高耐压、低功耗功率器件的材料，及用作场效应晶体管和透明电极等。

3.知识产权

已获得国家专利，专利名称：一种低成本超细β-Ga2O3纳米线的制备方法；专利号：ZL202210013593.X

4.转让方式

技术转让

5.联系人及电话

专利发明人：冯秋菊；0411-82158140-8505

科研处：聂肖松，0411-82159891